TRANSISTOR SERIE AF
AF125-( AF115 OC171 OC614 )-NOS-NEW
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Material/Aufbau/Pol.: Germanium diff.-leg. PNP;
Form/Case: TO-44;
Daten/electr.data: I F: 1 mA; U F: 0.5 V; Isp: 16 µA; ß (beta): 60; N: 85 mW; Imax(Ic): 10 mA; Umax(Uce): -20 V; f g(FT): 30 MHz; tmax: 90
°C.
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PNP germanium diffused transistor intended as AM shortwave band pre-stage amplifier, mixer / oscillator.
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